抛光液磨料的作用是将被抛光工件表层的凸起处去除,以提高工件表而的平整度。例如,对半导体晶片进行抛光时,借助于外力,磨料将晶片表而经过化学反应生成的钝化层去除,加工出所需的平整性。目前常用的磨料有二氧化硅胶体、氧化钵、氧化铝和纳米金刚石等。
腐蚀介质主要有酸和碱。
酸性抛光液常采用有机酸,可起到腐蚀作用,增加抛光过程的去除率,但其腐蚀性大,抛光设备要求高,常用于铜、钨、钦等金属材料的抛光。
目前的酸性抛光液中主要采用两类不同的有机酸:
一类是带有多功能团的氨基酸,另一类是从简单梭酸、轻基梭酸和它们二者的混合酸中挑选出来的。
研究发现,相对于单独使用任一类有机酸的抛光液,使用两类有机酸混合的抛光液的去除率较大。此外,有研究表明,随着抛光液pH值的增大,化学抛光占次要地位,机械抛光占主导作用,导致被抛光工件表而的质量下降,需加入有机酸进行调节。
碱性抛光液一般选用氢氧化钠、氢氧化钾、有机胺等碱性物质来调节抛光液的酸碱性。碱性抛光液的腐蚀性低,选择性高,常用于硅、氧化物、光阻材料等非金属材料的抛光。但是,碱性抛光液不容易找到氧化势能高的氧化剂,影响抛光效果。
助剂常用的有氧化剂、润滑剂、缓蚀剂、分散剂等
氧化剂能够在抛光工件表而形成氧化膜,有利于后续的机械抛光,从而提高抛光效率和表而平整度;润滑剂用于在抛光过程中降低磨料物质和抛光工件表而之间的摩擦;缓蚀剂以适当的浓度和形式存在于环境(介质)中时,能防比或减缓材料腐蚀,可单一使用,也可几种缓蚀剂复合使用;分散剂能够增加磨料粒子之间的斥力,防比磨料团聚,保证抛光液的稳定性,减少工件表面缺陷。助剂的选择非常重要。有研究困发现,用苯并三哩作为传统金属的抗腐蚀剂时,可以明显降低材料表而的凹陷,提高平整性,并且可以降低有机残余物。
同时,Eiichi Satou认为,化学机械抛光液中的助剂必须满足以下条件:1)助剂分子中有一个或多个环状官能团,并且分子结构中至少有一个C-C键;2)助剂分子中至少含有一个-OH官能团,至多含有一个-COOH官能团。