抛光液磨料的作用是将被抛光工件表层的凸起处去除，以提高工件表而的平整度。例如，对半导体晶片进行抛光时，借助于外力，磨料将晶片表而经过化学反应生成的钝化层去除，加工出所需的平整性。目前常用的磨料有二氧化硅胶体、氧化钵、氧化铝和纳米金刚石等。

腐蚀介质主要有酸和碱。

酸性抛光液常采用有机酸，可起到腐蚀作用，增加抛光过程的去除率，但其腐蚀性大，抛光设备要求高，常用于铜、钨、钦等金属材料的抛光。

目前的酸性抛光液中主要采用两类不同的有机酸：

一类是带有多功能团的氨基酸，另一类是从简单梭酸、轻基梭酸和它们二者的混合酸中挑选出来的。

研究发现，相对于单独使用任一类有机酸的抛光液，使用两类有机酸混合的抛光液的去除率较大。此外，有研究表明，随着抛光液pH值的增大，化学抛光占次要地位，机械抛光占主导作用，导致被抛光工件表而的质量下降，需加入有机酸进行调节。

碱性抛光液一般选用氢氧化钠、氢氧化钾、有机胺等碱性物质来调节抛光液的酸碱性。碱性抛光液的腐蚀性低，选择性高，常用于硅、氧化物、光阻材料等非金属材料的抛光。但是，碱性抛光液不容易找到氧化势能高的氧化剂，影响抛光效果。

助剂常用的有氧化剂、润滑剂、缓蚀剂、分散剂等

氧化剂能够在抛光工件表而形成氧化膜，有利于后续的机械抛光，从而提高抛光效率和表而平整度；润滑剂用于在抛光过程中降低磨料物质和抛光工件表而之间的摩擦；缓蚀剂以适当的浓度和形式存在于环境(介质)中时，能防比或减缓材料腐蚀，可单一使用，也可几种缓蚀剂复合使用；分散剂能够增加磨料粒子之间的斥力，防比磨料团聚，保证抛光液的稳定性，减少工件表面缺陷。助剂的选择非常重要。有研究困发现，用苯并三哩作为传统金属的抗腐蚀剂时，可以明显降低材料表而的凹陷，提高平整性，并且可以降低有机残余物。

同时，Eiichi Satou认为，化学机械抛光液中的助剂必须满足以下条件：1)助剂分子中有一个或多个环状官能团，并且分子结构中至少有一个C-C键；2)助剂分子中至少含有一个-OH官能团，至多含有一个-COOH官能团。